produkter

5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 er et integrert gate-kommutert tyristor (IGCT) produkt fra ABB, som tilhører 5SHY-serien.

IGCT er en ny type elektronisk enhet som dukket opp på slutten av 1990-tallet.

Den kombinerer fordelene med IGBT (isolert port bipolar transistor) og GTO (gate avslåing tyristor), og har egenskapene til rask byttehastighet, stor kapasitet og stor nødvendig drivkraft.

Spesielt tilsvarer kapasiteten til 5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 kapasiteten til GTO, men byttehastigheten er 10 ganger raskere enn GTO, noe som betyr at den kan fullføre byttehandlingen på kortere tid og dermed forbedre effektkonverteringseffektiviteten.

I tillegg, sammenlignet med GTO, kan IGCT spare den enorme og kompliserte snubberkretsen, som bidrar til å forenkle systemdesignet og redusere kostnadene.

Det skal imidlertid bemerkes at selv om IGCT har mange fordeler, er drivkraften som kreves fortsatt stor.

Dette kan øke energiforbruket og kompleksiteten til systemet. I tillegg, selv om IGCT prøver å erstatte GTO i høyeffektapplikasjoner, møter den fortsatt hard konkurranse fra andre nye enheter (som IGBT)

5SHY4045L00013BHB018162R0001 Integrerte gate kommuterte transistorer|GCT (Intergrated Gate commutated transistors) er en ny krafthalvlederenhet brukt i gigantisk kraftelektronisk utstyr som kom ut i 1996.

IGCT er en ny høyeffekts halvlederbryterenhet basert på GTO-struktur, ved bruk av integrert portstruktur for portharddisk, ved bruk av buffermellomlagsstruktur og anodetransparent emitterteknologi, med tyristorens on-state-karakteristikk og transistorens svitsjegenskaper.

5SHY4045L000) 3BHBO18162R0001 bruker en bufferstruktur og grunt emitterteknologi, som reduserer dynamisk tap med omtrent 50 %.

I tillegg integrerer denne typen utstyr også en frihjulsdiode med gode dynamiske egenskaper på en brikke, og realiserer da den organiske kombinasjonen av lavt spenningsfall i tilstanden, høy blokkeringsspenning og stabile koblingsegenskaper til tyristoren på en unik måte.