produkter

5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 er et integrert gate-kommutert tyristor (IGCT)-produkt fra ABB, som tilhører 5SHY-serien.

IGCT er en ny type elektronisk enhet som dukket opp på slutten av 1990-tallet.

Den kombinerer fordelene med IGBT (isolert gate bipolar transistor) og GTO (gate turn-off tyristor), og har egenskapene rask byttehastighet, stor kapasitet og stor nødvendig drivkraft.

Mer spesifikt er kapasiteten til 5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 tilsvarende GTO, men koblingshastigheten er 10 ganger raskere enn GTO, noe som betyr at den kan fullføre koblingshandlingen på kortere tid og dermed forbedre effektomformingseffektiviteten.

I tillegg kan IGCT, sammenlignet med GTO, spare den enorme og kompliserte snubberkretsen, noe som bidrar til å forenkle systemdesignet og redusere kostnadene.

Det bør imidlertid bemerkes at selv om IGCT har mange fordeler, er den nødvendige drivkraften fortsatt stor.

Dette kan øke energiforbruket og kompleksiteten til systemet. I tillegg, selv om IGCT prøver å erstatte GTO i høyeffektapplikasjoner, møter den fortsatt hard konkurranse fra andre nye enheter (som IGBT).

5SHY4045L00013BHB018162R0001 Integrerte gate-kommuterte transistorer|GCT (Integrated Gate commutated transistors) er en ny krafthalvlederenhet som brukes i gigantisk kraftelektronisk utstyr som kom ut i 1996.

IGCT er en ny høyeffekts halvlederbryter basert på GTO-struktur, som bruker integrert gatestruktur for gate-harddisk, bruker buffer mellomlagsstruktur og anode transparent emitterteknologi, med tyristorens på-tilstandskarakteristikker og transistorens bryterkarakteristikker.

5SHY4045L000) 3BHBO18162R0001 bruker en bufferstruktur og teknologi for grunn emitter, noe som reduserer dynamisk tap med omtrent 50 %.

I tillegg integrerer denne typen utstyr også en friløpsdiode med gode dynamiske egenskaper på en brikke, og realiserer deretter den organiske kombinasjonen av lavt spenningsfall i på-tilstand, høy blokkeringsspenning og stabile svitsjeegenskaper til tyristoren på en unik måte.